收藏本站
IXTH182N055T
IXTQ182N055T
270
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
240
120
T J = - 40oC
210
180
150
120
T J = -40oC
25oC
125oC
100
80
60
25oC
150oC
90
40
60
30
0
20
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
9
8
7
6
V DS = 27.5V
I D = 25A
I G = 10mA
150
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit @ V GS = 10V
1,000
C oss
100
25μs
100μs
1ms
100
C rss
10
T J = 175oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTH200N085T MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
IXTH200N10T MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
IXTH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXTH220N055T MOSFET N-CH 55V 220A TO-247
IXTH220N075T MOSFET N-CH 75V 220A TO-247
IXTH230N085T MOSFET N-CH 85V 230A TO-247
IXTH240N055T MOSFET N-CH 55V 240A TO-247
IXTH24N50L MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
相关代理商/技术参数
IXTH18N65 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR
IXTH19N45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH19N50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH19P15 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH19P20 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH1N100 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH1N250 功能描述:MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH200N075T 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube